颠覆传统技术垄断！马斯克或采用FEL技术挑战EUV光刻机

快科技 8 月 10 日消息，据媒体报道，SpaceX 近日宣布，将与特斯拉合作，初期投入 168 亿美元，在美国得克萨斯州共建一座名为" Terafab "的芯片制造设施。

随后有博主爆料称，根据 Terafab 发布的信息推测，马斯克可能计划采用自由电子激光器（FEL） 技术路线，直接挑战 ASML 现有的 LPP EUV 光源方案，颠覆传统 EUV 光刻技术的垄断格局。

马斯克本人随后在社交平台发文" FEL FTW "（FEL 必胜），被外界视为对这一推测的侧面印证。结合 Terafab 细长的厂房设计及马斯克的表态，FEL 技术路线成为当前最热门的猜想方向。

尽管目前仍属猜测，FEL 技术本身的特性已引发业内热烈讨论。该技术具备高功率、高相干性、波长可调谐以及更高能效等优势，理论上可将光刻光源从当前主流的 13.5nm 推向 6nm 乃至更短波长，大幅延伸摩尔定律的生命周期。

然而，其产业化前景同样面临巨大挑战——庞大的加速器系统、高昂的建设成本以及量产稳定性，仍是横亘在商用化道路上的现实难题。

据 SpaceX 官网介绍，Terafab 将集先进逻辑芯片和存储器件制造、封装与测试于一体，旨在实现芯片的快速迭代与部署，为 SpaceX 未来的航天计算需求提供自主可控的供应链支撑。

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